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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW20N60C3
  仓库库存编号：SPW20N60C3IN-ND
  别名：SP000013729
  SPW20N60C3FKSA1
  SPW20N60C3IN
  SPW20N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB59N10DPBF
  仓库库存编号：IRFB59N10DPBF-ND
  别名：*IRFB59N10DPBF
  SP001560232
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS59N10DPBF
  仓库库存编号：IRFS59N10DPBF-ND
  别名：*IRFS59N10DPBF
  SP001571716
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681058
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：SPA20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA20N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216354
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP20N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000681064
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB20N60C3
  仓库库存编号：SPB20N60C3INCT-ND
  别名：SPB20N60C3INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS59N10DTRLP
  仓库库存编号：IRFS59N10DTRLP-ND
  别名：SP001557452
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681006
  SPI20N60C3
  SPI20N60C3-ND
  SPI20N60C3IN
  SPI20N60C3IN-ND
  SPI20N60C3X
  SPI20N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA20N65C3
  仓库库存编号：SPA20N65C3IN-ND
  别名：SP000216362
  SPA20N65C3IN
  SPA20N65C3XK
  SPA20N65C3XKSA1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL59N10D
  仓库库存编号：IRFSL59N10D-ND
  别名：*IRFSL59N10D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60C3IN-ND
  别名：SPP20N60C3
  SPP20N60C3BKSA1
  SPP20N60C3IN
  SPP20N60C3X
  SPP20N60C3XIN
  SPP20N60C3XIN-ND
  SPP20N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA20N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA20N60C3IN-ND
  别名：SP000013659
  SPA20N60C3
  SPA20N60C3IN
  SPA20N60C3X
  SPA20N60C3XTIN
  SPA20N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI20N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000014525
  SP000681010
  SPI20N65C3
  SPI20N65C3-ND
  SPI20N65C3IN
  SPI20N65C3IN-ND
  SPI20N65C3X
  SPI20N65C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP20N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000014369
  SPP20N65C3
  SPP20N65C3-ND
  SPP20N65C3IN
  SPP20N65C3IN-ND
  SPP20N65C3X
  SPP20N65C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS59N10DTRRP
  仓库库存编号：IRFS59N10DTRRP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013527
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI20N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI20N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014453
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 114nC @ 10V,
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