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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC057N08NS3 GCT
  BSC057N08NS3 GCT-ND
  BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
  BSZ035N03LSGINCT
  BSZ035N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB067N08N3 G
  仓库库存编号：IPB067N08N3 GCT-ND
  别名：IPB067N08N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3410PBF
  仓库库存编号：IRFU3410PBF-ND
  别名：*IRFU3410PBF
  SP001578398
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114648
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3410TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3410TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR3410TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7490TRPBF
  仓库库存编号：IRF7490TRPBFCT-ND
  别名：IRF7490TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC118N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC118N10NSGATMA1CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB026N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB026N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB026N06N-ND
  IPB026N06NATMA1CT
  IPB026N06NCT
  IPB026N06NCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPA041N04NGXKSA1-ND
  别名：SP001191328
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N15DPBF
  仓库库存编号：IRFB23N15DPBF-ND
  别名：*IRFB23N15DPBF
  SP001566508
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114656
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP041N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP041N04N G
  IPP041N04N G-ND
  IPP041N04NG
  SP000680790
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3518TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3518TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3518TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N15DTRLP
  仓库库存编号：IRFS23N15DTRLPCT-ND
  别名：IRFS23N15DTRLPCT
  
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  MOSFET N-CH 60V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP029N06NAKSA1-ND
  别名：IPP029N06N
  IPP029N06N-ND
  SP000917404
  
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  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114652
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S407ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA2-ND
  别名：SP001028680
  
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S407AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S407AKSA2-ND
  别名：SP001028666
  
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S407ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S407ATMA2-ND
  别名：SP001028672
  
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S407AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S407AKSA2-ND
  别名：SP001028676
  
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  MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N15D
  仓库库存编号：IRFS23N15D-ND
  别名：*IRFS23N15D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N15D
  仓库库存编号：IRFSL23N15D-ND
  别名：*IRFSL23N15D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3410
  仓库库存编号：IRFU3410-ND
  别名：*IRFU3410
  Q1434118
  
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