产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),85A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 79W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRLR9343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR9343TRPBFCT-ND
别名:IRLR9343TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 14A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB9343PBF
仓库库存编号:
IRLIB9343PBF-ND
别名:*IRLIB9343PBF
SP001558256
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 20A(Tc) I-Pak
型号:
IRLU9343PBF
仓库库存编号:
IRLU9343PBF-ND
别名:*IRLU9343PBF
SP001568868
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80N04S3-06
仓库库存编号:
IPD80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI45N06S409AKSA2
仓库库存编号:
IPI45N06S409AKSA2-ND
别名:SP001028656
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-06
仓库库存编号:
IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S409ATMA2
仓库库存编号:
IPB45N06S409ATMA2-ND
别名:SP001028652
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S409AKSA2
仓库库存编号:
IPP45N06S409AKSA2-ND
别名:SP001028648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA07N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264431
SPA07N60CFD
SPA07N60CFD-ND
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB9343
仓库库存编号:
IRLIB9343-ND
别名:*IRLIB9343
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU9343
仓库库存编号:
IRLU9343-ND
别名:*IRLU9343
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Ta),60A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF6644TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6644TR1PBFCT-ND
别名:IRF6644TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 25A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB25N06S3L-22
仓库库存编号:
IPB25N06S3L-22-ND
别名:IPB25N06S3L22XT
SP000087994
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 50W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI25N06S3L-22
仓库库存编号:
IPI25N06S3L-22-ND
别名:IPI25N06S3L22X
IPI25N06S3L22XK
SP000087996
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP25N06S3L-22
仓库库存编号:
IPP25N06S3L-22IN-ND
别名:IPP25N06S3L-22-ND
IPP25N06S3L-22IN
IPP25N06S3L22X
IPP25N06S3L22XK
SP000087993
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 125W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2-08
仓库库存编号:
SPU30N03S2-08-ND
别名:SP000014129
SPU30N03S208X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR9343-701PBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S306AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S306AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-06
IPI80N04S3-06-ND
SP000261237
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S306AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S306AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-06
IPP80N04S3-06-ND
IPP80N04S306
SP000261233
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW07N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW07N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S409ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N06S409ATMA1TR-ND
别名:IPB45N06S4-09
IPB45N06S4-09-ND
SP000374315
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S409ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S409ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S4-09
IPD50N06S4-09-ND
SP000374321
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 47nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S409AKSA1
仓库库存编号:
IPI45N06S409AKSA1-ND
别名:IPI45N06S4-09
IPI45N06S4-09-ND
SP000374332
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