产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ025N04LSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R165CPXKSA1-ND
别名:IPP60R165CP
IPP60R165CP-ND
IPP60R165CPX
IPP60R165CPXK
SP000084279
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC034N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC034N03LSGATMA1TR-ND
别名:BSC034N03LS G
BSC034N03LS G-ND
SP000475948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9388TRPBF
仓库库存编号:
IRF9388TRPBFCT-ND
别名:IRF9388TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R165CP
仓库库存编号:
IPB60R165CPCT-ND
别名:IPB60R165CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9328TRPBF
仓库库存编号:
IRF9328TRPBFCT-ND
别名:IRF9328TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R165CP
仓库库存编号:
IPW60R165CP-ND
别名:IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S214ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S214ATMA2-ND
别名:SP001063624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0500NSIATMA1-ND
别名:SP001288136
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0500NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0500NSIATMA1-ND
别名:SP001288150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名:IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名:IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-15
仓库库存编号:
SPD30N06S2-15-ND
别名:SP000012477
SPD30N06S215T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N06S214ATMA1
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IPD50N06S214ATMA1TR-ND
别名:IPD50N06S2-14
IPD50N06S2-14-ND
SP000252171
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V,
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