产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (12)
Nexperia USA Inc. (3)
STMicroelectronics (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 28A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7423
仓库库存编号:
785-1310-1-ND
别名:785-1310-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB80NF55L-08-1
仓库库存编号:
497-12542-5-ND
别名:497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004PBF
仓库库存编号:
IRL1004PBF-ND
别名:*IRL1004PBF
SP001567104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XP,115
仓库库存编号:
1727-1246-1-ND
别名:1727-1246-1
568-10453-1
568-10453-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XPH
仓库库存编号:
1727-1366-1-ND
别名:1727-1366-1
568-10812-1
568-10812-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V SOT1220
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XPZ
仓库库存编号:
PMPB15XPZ-ND
别名:934066615184
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004L
仓库库存编号:
IRL1004L-ND
别名:*IRL1004L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRL
仓库库存编号:
IRL1004STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRR
仓库库存编号:
IRL1004STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701
仓库库存编号:
IRF7701-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701TR
仓库库存编号:
IRF7701TR-ND
别名:SP001575290
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004LPBF
仓库库存编号:
IRL1004LPBF-ND
别名:*IRL1004LPBF
SP001557916
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7701GTRPBFCT-ND
别名:IRF7701GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701TRPBF
仓库库存编号:
IRF7701TRPBFCT-ND
别名:IRF7701TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRLPBF
仓库库存编号:
IRL1004STRLPBFCT-ND
别名:IRL1004STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
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