产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024NE2LS
仓库库存编号:
BSC024NE2LSCT-ND
别名:BSC024NE2LSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 43W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU220NPBF
仓库库存编号:
IRFU220NPBF-ND
别名:*IRFU220NPBF
SP001567710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF200B211
仓库库存编号:
IRF200B211-ND
别名:SP001561622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),75A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF030NE2LQ
仓库库存编号:
BSF030NE2LQCT-ND
别名:BSF030NE2LQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8-33
型号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名:*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S55R4ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 106W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R150G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R150G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R150G7XTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R600E6
仓库库存编号:
IPA65R600E6-ND
别名:IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C7FKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C7FKSA1-ND
别名:SP000929426
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R190C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C7XKSA1-ND
别名:SP001080140
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001508828
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA2-ND
别名:SP001313390
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名:IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
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MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名:SP000680738
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R190C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R190C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001295804
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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