产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.3A(Tc) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60-GE3
仓库库存编号:
SUD19P06-60-GE3CT-ND
别名:SUD19P06-60-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.7W(Ta),46W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60L-E3
仓库库存编号:
SUD19P06-60L-E3CT-ND
别名:SUD19P06-60L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7465DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7465DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7465DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7421DN-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N15-52-E3
仓库库存编号:
SUD25N15-52-E3CT-ND
别名:SUD25N15-52-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL630PBF
仓库库存编号:
IRL630PBF-ND
别名:*IRL630PBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D-Pak
型号:
SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60E-GE3-ND
别名:SIHD7N60EGE3
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Tc) 3.75W(Tc) 8-SO
型号:
SQ9407EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ9407EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ9407EY-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名:SQD70140EL_GE3TR
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名:SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.3A(Tc) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60-E3
仓库库存编号:
SUD19P06-60-E3CT-ND
别名:SUD19P06-60-E3CT
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MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ465EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ465EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ465EP-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP7N60E-GE3-ND
别名:SIHP7N60EGE3
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-E3-ND
别名:SIHF7N60EE3
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MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630GPBF
仓库库存编号:
IRLI630GPBF-ND
别名:*IRLI630GPBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS434DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS434DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS434DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630SPBF
仓库库存编号:
IRL630SPBF-ND
别名:*IRL630SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS430DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS430DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS430DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR664DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR664DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR664DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7421DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7421DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD7N60ET4-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60ET4-GE3-ND
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N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD7N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60ET5-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) I-Pak
型号:
SIHU7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHU7N60E-GE3-ND
别名:SIHU7N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHD7N60E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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