产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
BUK9277-55A,118
仓库库存编号:
1727-3932-1-ND
别名:1727-3932-1
568-4284-1
568-4284-1-ND
BUK9277-55A /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLL024ZTRPBFCT-ND
别名:IRLL024ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8449
仓库库存编号:
FDS8449CT-ND
别名:FDS8449CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 34A(Tc) 59.4W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y27-40B,115
仓库库存编号:
1727-4616-1-ND
别名:1727-4616-1
568-5528-1
568-5528-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y104-100B,115
仓库库存编号:
1727-4612-1-ND
别名:1727-4612-1
568-5524-1
568-5524-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y40-55B,115
仓库库存编号:
1727-4943-1-ND
别名:1727-4943-1
568-6237-1
568-6237-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2230-1-ND
别名:1727-2230-1
568-12498-1
568-12498-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024ZTR
仓库库存编号:
AUIRLL024ZTRTR-ND
别名:AUIRLL024ZTRTR
SP001517712
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55A,115
仓库库存编号:
568-9715-1-ND
别名:568-9715-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 5.2A(Ta),25A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
FDD45AN06LA0
仓库库存编号:
FDD45AN06LA0CT-ND
别名:FDD45AN06LA0CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E100XNTR
仓库库存编号:
RP1E100XNCT-ND
别名:RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Tc) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL024Z
仓库库存编号:
IRLL024Z-ND
别名:*IRLL024Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA
仓库库存编号:
IPB11N03LA-ND
别名:IPB11N03LAT
SP000014987
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB11N03LA G
仓库库存编号:
IPB11N03LA G-ND
别名:IPB11N03LAGXT
SP000103306
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB
仓库库存编号:
IPB13N03LB-ND
别名:IPB13N03LBT
SP000064218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA
仓库库存编号:
IPD10N03LA-ND
别名:IPD10N03LAT
SP000014983
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD10N03LA G
仓库库存编号:
IPD10N03LA G-ND
别名:IPD10N03LAGXT
SP000017602
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA
仓库库存编号:
IPF10N03LA-ND
别名:IPF10N03LAT
SP000014985
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF10N03LA G
仓库库存编号:
IPF10N03LA G-ND
别名:IPF10N03LAGXT
SP000017609
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI11N03LA
仓库库存编号:
IPI11N03LA-ND
别名:IPI11N03LAX
SP000014988
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 5V,
含铅
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