产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5803TRPBF
仓库库存编号:
IRF5803TRPBFCT-ND
别名:IRF5803TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530NPBF
仓库库存编号:
IRF530NPBF-ND
别名:*IRF530NPBF
SP001570120
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF530NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC022N04LSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R210P6AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R190P6
仓库库存编号:
IPA60R190P6-ND
别名:IPA60R190P6XKSA1
SP001017080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP083N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP083N10N5AKSA1-ND
别名:SP001226036
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 65W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S405ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S405ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R190P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) 36W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA083N10N5XKSA1
仓库库存编号:
IPA083N10N5XKSA1-ND
别名:SP001226038
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NS
仓库库存编号:
IRF530NS-ND
别名:*IRF530NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) TO-262
型号:
IRF530NL
仓库库存编号:
IRF530NL-ND
别名:*IRF530NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5803
仓库库存编号:
IRF5803-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF5803D2
仓库库存编号:
IRF5803D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF5803D2TR
仓库库存编号:
IRF5803D2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5803TR
仓库库存编号:
IRF5803TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF5803D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF5803D2TRPBFCT-ND
别名:IRF5803D2TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSZ023N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ023N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ023N04LS-ND
BSZ023N04LSCT
BSZ023N04LSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
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