产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Diodes Incorporated (4)
Infineon Technologies (19)
IXYS (5)
Nexperia USA Inc. (4)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (12)
Renesas Electronics America (2)
STMicroelectronics (11)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Toshiba Semiconductor and Storage (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4484
仓库库存编号:
785-1202-1-ND
别名:785-1202-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3672
仓库库存编号:
FDS3672CT-ND
别名:FDS3672CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),50A(Tc) 135W(Tc) D-Pak
型号:
FDD10AN06A0
仓库库存编号:
FDD10AN06A0CT-ND
别名:FDD10AN06A0CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5803TRPBF
仓库库存编号:
IRF5803TRPBFCT-ND
别名:IRF5803TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),30A(Tc) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3010LFG-7
仓库库存编号:
DMN3010LFG-7DICT-ND
别名:DMN3010LFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta) 930mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN4010LFG-7
仓库库存编号:
DMN4010LFG-7DICT-ND
别名:DMN4010LFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530NPBF
仓库库存编号:
IRF530NPBF-ND
别名:*IRF530NPBF
SP001570120
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 114W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP55N06
仓库库存编号:
FDP55N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM120N06LCS RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCS RLGTR-ND
别名:TSM120N06LCS RLGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM120N06LCS RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCS RLGCT-ND
别名:TSM120N06LCS RLGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM120N06LCS RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCS RLGDKR-ND
别名:TSM120N06LCS RLGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGTR-ND
别名:TSM120N06LCP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGCT-ND
别名:TSM120N06LCP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGDKR-ND
别名:TSM120N06LCP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4279-1-ND
别名:1727-4279-1
568-4911-1
568-4911-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 9A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM650N15CS RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CS RLGTR-ND
别名:TSM650N15CS RLGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 9A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM650N15CS RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CS RLGCT-ND
别名:TSM650N15CS RLGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 9A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM650N15CS RLG
仓库库存编号:
TSM650N15CS RLGDKR-ND
别名:TSM650N15CS RLGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 43A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.1A(Ta),43A(Tc) 1.6W(Ta) TO-252
型号:
DMN3010LK3-13
仓库库存编号:
DMN3010LK3-13DICT-ND
别名:DMN3010LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A PT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0310AS
仓库库存编号:
FDMS0310ASCT-ND
别名:FDMS0310ASCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7227-100B,118
仓库库存编号:
1727-4697-1-ND
别名:1727-4697-1
568-5845-1
568-5845-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
型号:
IRF530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF530NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC022N04LSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R210P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R210P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R210P6AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号