产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413PG
仓库库存编号：
MC1413PGOS-ND
别名：MC1413PGOS
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-PDIP
型号：
MC1413BPG
仓库库存编号：
MC1413BPGOS-ND
别名：MC1413BPGOS
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413DR2G
仓库库存编号：
MC1413DR2GOSCT-ND
别名：MC1413DR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413BDR2G
仓库库存编号：
MC1413BDR2GOSCT-ND
别名：MC1413BDR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
NCV1413BDR2G
仓库库存编号：
NCV1413BDR2GOSCT-ND
别名：NCV1413BDR2GOSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413BDR2
仓库库存编号：
MC1413BDR2OSCT-ND
别名：MC1413BDR2OSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
型号：
MC1413DR2
仓库库存编号：
MC1413DR2OSCT-ND
别名：MC1413DR2OSCT
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,品牌：ON Semiconductor,规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA,
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