产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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  • Toshiba Semiconductor and Storage - RN4990FE,LF(CB - TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

    型号:RN4990FE,LF(CB
    仓库库存编号:RN4990FELF(CBCT-ND
    别名:RN4990FE(T5LFT)CT
    RN4990FE(T5LFT)CT-ND
    RN4990FELF(CBCT
    RN4990FELF(CTCT
    RN4990FELF(CTCT-ND

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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  • Toshiba Semiconductor and Storage - RN2911,LF - TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

    型号:RN2911,LF
    仓库库存编号:RN2911LFCT-ND
    别名:RN2911LF(CTCT
    RN2911LF(CTCT-ND
    RN2911LFCT

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
  • 无铅
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  • Toshiba Semiconductor and Storage - RN2910FE,LF(CB - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

    详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

    型号:RN2910FE,LF(CB
    仓库库存编号:RN2910FELF(CBCT-ND
    别名:RN2910FE(T5LFT)CT
    RN2910FE(T5LFT)CT-ND
    RN2910FELF(CBCT
    RN2910FELF(CTCT
    RN2910FELF(CTCT-ND

    产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置,规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V,
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